光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is，配備了evg公司的利吸盤(pán)設(shè)計(jì)---這種吸盤(pán)可以提供對(duì)稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢(shì)特性，如獨(dú)立的上下盤(pán)加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2024-12-24
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對(duì)準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2024-12-24
ne-550z是高真空l(shuí)oad-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2024-12-24
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2024-12-24
美國(guó)neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時(shí)間:2024-12-24
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時(shí)間:2024-12-24
法國(guó)annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽(yáng)能電池& mems.
更新時(shí)間:2024-12-24
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì)，可以裝配各種源爐，實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。
更新時(shí)間:2024-12-24
德國(guó)unitemp真空快速退火爐rtp-150, 單晶圓，150mm，快升溫速率可達(dá)150k/s
更新時(shí)間:2024-12-24
evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺(tái)，在單個(gè)平臺(tái)上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓印（nil）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時(shí)間:2024-12-24
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時(shí)間:2024-12-24
美國(guó) oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2024-12-24
oai model 212型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2024-12-24
oai model 800e 型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2024-12-24
oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型，高吞吐量180 wph，靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時(shí)間:2024-12-24
oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號(hào)6020s -半自動(dòng)化或自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時(shí)間:2024-12-24
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過(guò)加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過(guò)反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時(shí)間:2024-12-24
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時(shí)具有高的性能、靈活性、可信度、實(shí)用性和速度。基于海思創(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新，它為納米力學(xué)表征帶來(lái)了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺(tái)優(yōu)異納米力學(xué)測(cè)試儀
更新時(shí)間:2024-12-24
echo pro 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤(pán)和框架直接掃瞄, 編程自動(dòng)判別缺陷, 高產(chǎn)量,無(wú)需人員重復(fù)設(shè)置, 自動(dòng)烘干.
更新時(shí)間:2024-12-24
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫(xiě)機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺(tái)加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時(shí)間:2024-12-24
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2024-12-24
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學(xué)的肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒(méi)式物鏡、擁有超高分辨率的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無(wú)掩模光刻機(jī)
更新時(shí)間:2024-12-24
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫(xiě)模塊，實(shí)現(xiàn)不同精度直寫(xiě)需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
更新時(shí)間:2024-12-24
德國(guó)海德堡 heidelberg 激光直寫(xiě)光刻機(jī) mla150,德國(guó)高精密激光直寫(xiě)繪圖機(jī),非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時(shí)間:2024-12-24
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
更新時(shí)間:2024-12-24
德國(guó)leica em txp全新精研一體機(jī)，是一款獨(dú)特的可對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對(duì)樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對(duì)目標(biāo)精細(xì)定位或需對(duì)肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長(zhǎng)）
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺(tái)式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對(duì)準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長(zhǎng)：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對(duì)準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場(chǎng)顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對(duì)準(zhǔn)，又可用于檢測(cè)曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2024-12-24
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長(zhǎng)）,對(duì)準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時(shí)間:2024-12-24
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過(guò)高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測(cè)試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2024-12-24
美nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)：nte-4000 獨(dú)立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺(tái)式熱蒸鍍系統(tǒng)，nte-1000 簡(jiǎn)便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統(tǒng)可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統(tǒng)組成雙系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2024-12-24
美nano-master磁控濺射系統(tǒng)：nsc-4000獨(dú)立式磁控濺射系統(tǒng)，可支持共濺射等能力的擴(kuò)展nsc-3500緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質(zhì)材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應(yīng)用。nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺(tái)式濺射系統(tǒng)，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規(guī)的金屬濺射
更新時(shí)間:2024-12-24
nano-master的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd系統(tǒng)npe-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。基板可以容納8英寸晶圓，可通過(guò)射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過(guò)熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時(shí)間:2024-12-24
nano-master電子束蒸鍍系統(tǒng) nee-4000，可通過(guò)樣片掩膜實(shí)現(xiàn)組合蒸鍍，并可通過(guò)電腦控制單個(gè)電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統(tǒng)可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動(dòng)上下片，以及手動(dòng)或自動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣片實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統(tǒng)，也可以跟磁控濺射
更新時(shí)間:2024-12-24
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統(tǒng)：nie-4000 獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nie-3500 緊湊型獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2024-12-24
nano-master等離子清洗和灰化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統(tǒng)通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨(dú)一無(wú)二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時(shí)間:2024-12-24
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3500 緊湊型獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3000 臺(tái)式ald系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-24
美nano-master rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)nrr-4000 獨(dú)立式雙rie或icp刻蝕系統(tǒng)nre-4000 獨(dú)立式rie或icp系統(tǒng)nre-3000 臺(tái)式rie系統(tǒng)ndr-4000 深硅刻蝕系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-24
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測(cè)試系統(tǒng)，俗稱“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-12-24
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2024-12-24
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